反射式横向调制光学电压传感器特性分析

• 作者: 丁晔 罗苏南 赵俊 阎嫦玲
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: 光学电压传感器 Bi4Ge3O12晶体 Pockels效应 双光路
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TP21
• 字数: 3855字
• 语种: 中文

摘要

以反射延迟器代替1/4波片构成的反射式横向调制光学电压传感器结构紧凑，便于实际应用。对Bi4Ge3O12(BGO)晶体反射式横向调制光学电压传感器进行理论分析，分析表明：将待测电压加于BGO晶体<001>方向，且使光沿晶体?110?方向通过时，光学电压传感器具有较好的双光路温度互补特性，传感器具有最优性能。对2种不同结构的光学电压传感器进行温度试验，试验结果验证了理论分析的正确性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵俊		9	26	3.0	5.0
2	罗苏南		13	191	7.0	13.0
3	阎嫦玲		5	42	3.0	5.0
4	丁晔		5	14	2.0	3.0