In插入层对硅衬底外延InN晶体质量和光学特性的影响

• 作者: 吴国光 张宝林 景强 李万程 杜国同 蔡旭浦 高福斌
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InN Si 分子束外延 In插入层
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 96-100
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2193字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143501.0096

摘要

在Si(111)衬底上分别预沉积0,0.1,0.5,1 nm厚度的In插入层后,采用等离子辅助分子束外延法制备了纤锌矿结构的InN材料,结合X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、吸收谱及光致发光谱研究了不同厚度的In插入层对外延InN晶体质量和光学特性的影响.XRD和SEM的测试结果表明,在Si衬底上预沉积0.5 nm厚的In插入层有利于改善外延InN材料的形貌,提高材料的晶体质量.吸收谱和光致发光谱测试表明,0.5 nm厚In插入层对应的InN样品吸收边蓝移程度最小,光致发射谱半峰宽最窄,并且有最高的带边辐射复合发光效率.可见,引入适当厚度的InN插入层可以改善Si衬底上外延InN材料的晶体质量和光学特性.