低噪声、低功耗微电容读出ASIC设计

• 作者: 任臣 杨拥军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子机械系统(MEMS) 电容-电压 低噪声 低功耗 专用集成电路(ASIC)
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 268-273,284
• 分类号: TN492
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.04.006

摘要

针对差分电容式微电子机械系统(MEMS)加速度计,设计了一种低噪声、低功耗微电容读出专用集成电路(ASIC).电路采用开关电容结构,使用相关双采样(CDS)技术降低电容-电压(C-V)转化电路的低频噪声和偏移电压.通过优化MEMS表头噪声匹配、互补金属氧化物半导体(CMOS)开关和低噪声运算放大器来降低频带内的混叠热噪声.采用电源开关模块和门控时钟技术来降低电路功耗,同时集成自检测电路和温度传感器.采用混合CMOS工艺进行流片加工,测试结果表明,优化后ASIC的电容分辨率为1.203 aF/Hz,系统分辨率为0.168 mg(量程2 g),芯片功耗约为2 mW.同时,该ASIC还具有很好的上电特性和稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨拥军	中国电子科技集团公司第十三研究所	44	220	7.0	13.0
2	任臣	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	11	2.0	2.0