平面平行真空微电子二极管中电子渡越时间的计算关系式

• 作者: 丁跃根 刘光诒 夏善红 李宏彦 陈博贤
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 平面平行真空微电子二极管 空间电荷 电位分布函数 电子渡越时间
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 14-18
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 5581字
• 语种: 中文

摘要

本文借助于泊松(Poisson)方程,分析了平面平行真空微电子二极管(P-VMD)中空间电荷对管内电位分布的影响,利用电子渡越时间的定义式,推导出了平面P-VMD在考虑空间电荷和忽略电荷空间电荷影响时的电子渡越时间的计算关系式,并验证了此关系式的正确性.最后举例说明了此关系式的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏善红	中国科学院电子学研究所	111	654	14.0	18.0
2	陈博贤		4	7	2.0	2.0
3	刘光诒	中国科学院电子学研究所	8	13	3.0	3.0
4	李宏彦		2	1	1.0	1.0
5	丁跃根	中国科学院电子学研究所	2	1	1.0	1.0