3d金属离子Bi位替代对新型层状超导体Bi4O4S3超导电性的影响

• 作者: 冯振杰 孙瑞 尹训庆 康保娟 张金仓 彭香连 鲁波 黎杰
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: Bi4O4S3 超导电性 Bi位替代 磁性离子掺杂
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 页码范围: 405-409
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

文章报道了3d金属离子X(X=Fe3+,Co3+,Mn4+)少量掺杂对新近发现的超导体Bi4O4S3结构及超导电性的影响.粉末X射线衍射数据表明,少量3d金属离子X的掺杂对晶格结构几乎没有影响.观察发现随着掺杂离子X半径的减少,超导转变宽度△Tc变窄,也就是少量3d金属离子X的掺入提高了Bi4O4S的超导电性.3d金属离子X的部分掺入提高了Bi4O4S3超导转变温度是一个非常值得关注的现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张金仓		93	237	8.0	11.0
2	康保娟		20	22	3.0	4.0
3	冯振杰		7	0	0.0	0.0
4	鲁波		20	94	4.0	9.0
5	彭香连		2	0	0.0	0.0
6	孙瑞		5	8	2.0	2.0
7	尹训庆		1	0	0.0	0.0
8	黎杰		1	0	0.0	0.0