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半导体纳米线制备中干法刻蚀技术的研究
半导体纳米线制备中干法刻蚀技术的研究
作者:
邹坤
邹继军
郭栋
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
一维纳米结构
纳米线
尺寸
干法刻蚀技术
摘要:
近年来,一维纳米结构:纳米管、纳米线、纳米带等,引起了人们的广泛关注.如何制备高质量的纳米结构依然是我们面临的巨大挑战.该文通过干法刻蚀技术制备的纳米线阵列来突出说明该技术今后的发展是多样化的,而且仍然方兴未艾.
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文献信息
篇名
半导体纳米线制备中干法刻蚀技术的研究
来源期刊
电子质量
学科
工学
关键词
一维纳米结构
纳米线
尺寸
干法刻蚀技术
年,卷(期)
2014,(1)
所属期刊栏目
专业测试
研究方向
页码范围
20-21
页数
2页
分类号
TN305.7
字数
902字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
邹继军
47
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10.0
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郭栋
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二级引证文献(0)
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节点文献
一维纳米结构
纳米线
尺寸
干法刻蚀技术
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子质量
主办单位:
中国电子质量管理协会
工业和信息化部电子第五研究所(中国赛宝实验室)
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-0107
CN:
44-1038/TN
开本:
大16开
出版地:
广州市五羊新城广兴花园32号一层
邮发代号:
46-39
创刊时间:
1980
语种:
chi
出版文献量(篇)
7058
总下载数(次)
32
总被引数(次)
15176
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