基于薄埋氧层及三顶层硅的SOI高压LDMOS研究

• 作者: 朱志 武星河 罗俊 胡盛东 谭开洲 雷剑梅
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 埋氧层 绝缘体上硅 高压器件
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 101-104
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

详细研究了一种基于薄埋氧层及三层顶层硅衬底(Triple-Layer Top Silicon,TLTS)的SOI高压LDMOS器件.该结构在SOI介质层上界面的顶层硅内引入一高浓度n+层,当器件处于反向阻断状态时,高浓度n+区部分耗尽,漏端界面处已耗尽n+层内的高浓度电离施主正电荷可增强介质层电场,所产生的附加电场将调制漂移区内的电场,防止器件在漏端界面处被提前击穿,从而可在较薄的埋氧层(BOX)上获得较高耐压.在0.4μm BOX上获得了624 V的耐压.与几种SOI器件相比,所提出的TLTS LDMOS器件具有较高优值(FOM).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	雷剑梅	重庆大学通信工程学院	14	124	7.0	11.0
2	罗俊	中国电子科技集团公司第二十四研究所	46	176	8.0	10.0
3	谭开洲	中国电子科技集团公司第二十四研究所	9	57	3.0	7.0
4	胡盛东	重庆大学通信工程学院	2	4	2.0	2.0
8	朱志	重庆大学通信工程学院	2	4	2.0	2.0
9	武星河	重庆大学通信工程学院	1	2	1.0	1.0