γ-巯丙基三甲氧基硅烷对纳米二氧化硅表面接枝改性的研究

• 作者: 吴文剑 曾幸荣 李峰 李红强 赖学军
• 来源期刊: 无机盐工业
• 关键词: 纳米SiO2 γ-巯丙基三甲氧基硅烷 表面接枝改性
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 33-36
• 页数: 4页
• 分类号: TQ127.2
• 语种: 中文

摘要

采用γ-巯丙基三甲氧基硅烷(KH590)对纳米二氧化硅表面进行接枝改性,研究KH590用量、反应时间和反应温度等对纳米二氧化硅相对接枝率和粒径的影响;采用红外光谱(FT-IR)和扫描电子显微镜(SEM)等手段对改性前后的纳米二氧化硅进行表征.结果表明:KH590通过水解后与二氧化硅粒子表面的羟基发生反应,成功接枝到纳米二氧化硅表面;其最佳工艺条件为:KH590用量为二氧化硅质量的15％,反应温度为80 ℃,反应时间为10 h,其相对接枝率达到10.3％;与未改性纳米二氧化硅相比,其平均粒径明显变小,分散性及亲油性明显变好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾幸荣	华南理工大学材料科学与工程学院	266	2480	26.0	34.0
2	赖学军	华南理工大学材料科学与工程学院	70	354	11.0	15.0
3	李红强	华南理工大学材料科学与工程学院	97	580	13.0	18.0
4	李峰	华南理工大学材料科学与工程学院	11	230	6.0	11.0
5	吴文剑	华南理工大学材料科学与工程学院	9	59	4.0	7.0