基于BiCMOS工艺的180 GHz信号产生、调制与探测电路

• 作者: 张世林 毛陆虹 苏秋杰 谢生 闫冬
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅 太赫兹 振荡器 调制 探测 肖特基势垒二极管(SBD)
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 7-13
• 分类号: TN433
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.01.002

摘要

在常规SiGe工艺下,设计了太赫兹频段的180 GHz信号产生、调制与探测电路.正交振荡器产生了四路相位相差90°的正弦信号,每路频率为45 GHz,线性叠加之后频率可达到180 GHz,开关交叉耦合结构在提高振荡器频率的同时,改善了振荡器的相位噪声;采用控制差分尾管电流的跨导切换式的调制方式,对180 GHz信号进行了10 MHz的幅度调制,输出功率为-27 dBm;探测电路主要为肖特基势垒二极管直接检波电路,实现对已调制的180 GHz信号解调.采用IBM 180 nm SiGe BiCMOS工艺进行流片验证,芯片面积为1 000 μm×450μm,测试结果表明探测器能够成功解调太赫兹信号.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	张世林	天津大学电子信息工程学院	109	334	8.0	11.0
3	谢生	天津大学电子信息工程学院	68	232	7.0	11.0
4	苏秋杰	天津大学电子信息工程学院	1	0	0.0	0.0
5	闫冬	天津大学电子信息工程学院	3	0	0.0	0.0