IR推出双功率MOSFET 以扩充电源模组元件

• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: 模组 IR 国际整流器 台式电脑 同步降压 功率损耗 通讯设备 伺服器 占位面积 销售副总裁
• 年，卷（期）: dysjb_2014,（9）
• 页码范围: 20-20
• 页数: 1页
• 分类号: TN386

摘要

近期,全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司(InternationalRectifier;IR),推出IRFHE4250DFastIRFET双功率MOSFET,藉以扩充电源模组元件系列。新款25V器件在25A的电流下能够比其它顶级的传统电源模组产品减少5%以上的功率损耗,适用于12V输入DC-DC同步降压应用,包括先进的电信和网路通讯设备、伺服器、显卡、台式电脑、超极本(Ultrabook)和笔记型电脑等。IRFHE4250D配备IR新一代矽技术,