Ce-Cu共掺杂对SnO2薄膜光电特性的影响

• 作者: 侯雪艳 单麟婷 巴德纯 曹青 李建昌
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ce-Cu共掺杂SnO2 溶胶凝胶法 光电特性 第一性原理
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 95-102
• 页数: 8页
• 分类号: O472
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1037.2013.00210

摘要

采用溶胶凝胶法制备不同Ce含量的Ce-Cu共掺杂SnO2薄膜,通过实验及第一性原理计算研究了掺杂对SnO2微观结构及光电特性的影响.结果表明,掺杂后薄膜物相未发生较大变化,Cu,Ce均以替代Sn位形式掺入,形成Cu2+Sn,Ce3+Sn受主型缺陷.随Ce掺杂浓度增加,薄膜晶粒尺寸和光学带隙均减小,电阻率先减小后增大,Ce掺杂量影响薄膜内陷阱分布从而导致电阻发生改变.PL光谱测试发现,SnO2在390 nm处出现紫外发光峰,主要与O空位有关,Ce3+的5d→4f跃迁在470 nm处产生蓝光发光峰,且随掺杂浓度增加发光峰强度先增大后减小并发生红移.第一性原理计算表明,Cu 3d态在价带顶上方产生受主能级,而Ce掺杂后使导带整体下移,光带隙减小,进而提高导电性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	巴德纯		250	1491	18.0	22.0
2	李建昌		42	214	9.0	13.0
3	单麟婷		5	23	3.0	4.0
4	曹青		3	3	1.0	1.0
5	侯雪艳		8	42	4.0	6.0