硅中微量硼元素的区熔掺杂

• 作者: 庞炳远 索开南 闫萍
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 区熔(FZ) 掺硼 硅 高电阻率 高纯度
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 60-63
• 分类号: TN304.12|TN305.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.01.013

摘要

以高纯B2O3的水溶液为掺杂剂,采用将掺杂剂逐点滴涂在硅棒表面后再进行区熔的方式,实现了硅材料的微量硼掺杂,研制出了导电类型为p型、电阻率为3 000～5 000 Ω·cm的区熔用硅多晶.实验表明,区熔掺杂完成后附加的一次真空区熔过程,使杂质在多晶硅中的分布变得更加均匀.在确定的工艺条件下,由于掺杂前及掺杂后多晶硅袖向电阻率的一致性、实验用多晶硅样本的大小、所需掺杂剂剂量的多少等因素均会影响掺杂的准确性,因此需要在相同条件下进行多次实验,通过积累大量的实验数据以实现准确掺杂.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	索开南	中国电子科技集团公司第四十六研究所	17	27	3.0	4.0
2	闫萍	中国电子科技集团公司第四十六研究所	16	35	4.0	5.0
3	庞炳远	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	17	3.0	3.0