PECVD制程中C3F8替代C2F6的研究

• 作者: 吴建荣 李刚
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: C2F6 C3F8 全氟化物
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 38-40
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 1378字
• 语种: 中文

摘要

研究表明含氟气体的性质决定了原子氟（F）的转化效率，通常在CxFy气体中x的值越大，氟（F）的转化效率也就会越高。所以C3F8（八氟丙烷）比C2F6（乙氟烷）具有更高的利用效率，更少的PFC（全氟化物）的排放。文章主要研究在以四乙氧基硅烷（TOES）为基础的离子增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）的清洗制程中，利用分解效率高的C3F8气体取代C2F6气体。通过实验设计（Design Of Experiment，DOE），调整腔体压力、射频（RF）功率、气体流量等参数，最终得到最优化的新清洗配方。应用到实际的量产中，有效地降低了成本，减少了PFC的排放。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴建荣	上海交通大学微电子学院	2	1	1.0	1.0