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相移掩膜应用于显示技术光刻细线化的初步研究
相移掩膜应用于显示技术光刻细线化的初步研究
作者:
史大为
崔承镇
张家祥
惠官宝
薛建设
郭建
黎午升
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
自准直式边缘相移掩膜、无铬相移掩膜
等间隔线
模拟
曝光容限
分辨率
摘要:
对基于不改造应用于显示技术的曝光设备而提高光刻解像力进行研究.用半导体工艺模拟及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,两种相位移掩膜和传统掩膜下4 μm/2 μm等间隔线的光强分布.并根据设备参数模拟分析离焦量为15、30μm时通过掩膜得到的光刻间距情况,最后实际比较测量了两种相位移掩膜在相同条件下各自曝光剂量范围和切面微观图.实验结果表明:自准直式边缘相移掩膜相比无铬相移掩膜在产能和良率方面更有优势.自准直式边缘相移掩膜更适合显示技术光刻细线化量产使用.
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文献信息
篇名
相移掩膜应用于显示技术光刻细线化的初步研究
来源期刊
光电子技术
学科
工学
关键词
自准直式边缘相移掩膜、无铬相移掩膜
等间隔线
模拟
曝光容限
分辨率
年,卷(期)
2014,(4)
所属期刊栏目
研究与试制
研究方向
页码范围
234-237
页数
4页
分类号
TN141.9
字数
1821字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
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姓名
单位
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郭建
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薛建设
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二级引证文献(0)
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引证文献(2)
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研究主题发展历程
节点文献
自准直式边缘相移掩膜、无铬相移掩膜
等间隔线
模拟
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分辨率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
光电子技术
主办单位:
南京电子器件研究所
出版周期:
季刊
ISSN:
1005-488X
CN:
32-1347/TN
开本:
16开
出版地:
南京中山东路524号(南京1601信箱43分箱)
邮发代号:
创刊时间:
1981
语种:
chi
出版文献量(篇)
1338
总下载数(次)
4
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