GaAs/Si直接键合用GaAs表面化学活化技术

• 作者: 刘雯 时彦朋 杨富华 杨添舒 王晓东 马静
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 疏水性 直接键合 清洗工艺 原子力显微镜 表面均方根粗糙度
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 523-528,541
• 分类号: TN305.97|TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.08.008

摘要

研究了GaAs/Si疏水性直接键合技术中GaAs表面化学活化关键工艺,对比分析了不同体积分数的HF和HCl溶液作为表面活性处理剂时对GaAs表面进行活化处理的结果.发现用HCl和H2O溶液处理GaAs晶片得到的表面均方根粗糙度要优于用HF处理得到的结果,并且将处理过的GaAs晶片与Si片进行直接键合,发现用HCl进行表面活化的GaAs晶片与Si片键合的成功率要高于用HF进行表面活化的GaAs和Si键合.在200,300和400℃条件下,采用HCl和H2O体积比为1∶10的溶液处理的GaAs晶片与Si片都成功键合,并且200℃条件下键合后的界面质量较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓东	中国科学院半导体研究所集成技术工程研究中心	198	1467	19.0	28.0
2	刘雯	中国科学院半导体研究所集成技术工程研究中心	22	294	9.0	17.0
3	杨富华	中国科学院半导体研究所集成技术工程研究中心	49	227	9.0	14.0
4	马静	中国科学院半导体研究所集成技术工程研究中心	14	175	5.0	13.0
5	杨添舒	中国科学院半导体研究所集成技术工程研究中心	3	5	2.0	2.0
6	时彦朋	中国科学院半导体研究所集成技术工程研究中心	2	5	2.0	2.0