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摘要:
一种兼容的双界面修饰被成功应用于修饰有机薄膜晶体管的底接触电极和绝缘层界面.这种兼容的双界面修饰为首先采用4-FTP修饰银源漏电极进而提高其功函数,然后采用HMDS或者OTS进一步修饰二氧化硅绝缘层界面.结果显示场迁移率得到极大提高,其最优特性高达0.91 cm2V-1s-1.
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文献信息
篇名 基于双层界面修饰的高性能底栅底接触有机薄膜晶体管研究
来源期刊 光电子技术 学科 工学
关键词 有机薄膜晶体管 绝缘层界面修饰 电极界面修饰
年,卷(期) 2014,(4) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 230-233
页数 4页 分类号 TN321.5
字数 1636字 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
有机薄膜晶体管
绝缘层界面修饰
电极界面修饰
研究起点
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期刊影响力
光电子技术
季刊
1005-488X
32-1347/TN
16开
南京中山东路524号(南京1601信箱43分箱)
1981
chi
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1338
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4
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