一种勾形磁场新磁屏蔽体优化设计与分析

• 作者: 安涛 高勇
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶炉 勾形磁场 磁屏蔽体
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 237-241
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2598字
• 语种: 中文

摘要

本文在勾形磁场现有磁屏蔽体的基础上,提出一种新的磁屏蔽体结构,并以8寸单晶炉新型磁屏蔽体结构的勾形磁场为研究对象,对其进行了模拟分析及优化设计.结果表明:安匝数一定的情况下(33600),采用新型磁屏蔽体的勾形磁场较现有勾形磁场的磁场强度Br,提高了约27.03％;当坩埚侧处产生横向磁场强度均为491Gs时,其功耗下降了约35.97％;该研究为进一步降低功耗提供了一种设计思路及设计方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇		189	1184	15.0	26.0
2	安涛		50	182	7.0	11.0