一种RF-LDMOS内匹配电路设计方法

• 作者: 从密芳 李科 李赛 杜寰
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: RF-LDMOS 内匹配电路 MOS电容 键合线
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 电子技术应用 -- 电子技术
• 页码范围: 134-137
• 页数: 4页
• 分类号: TN710-34
• 语种: 中文

摘要

介绍了通过测试及ADS软件去嵌入得到RF-LDMOS管芯阻抗的方法，并通过测试结果验证其准确性。介绍了两种常用的内匹配电路形式及其特点，并采用其中一种通过ADS和HFSS两款仿真软件实现一款自主研发的45 mm 栅宽RF-LDMOS内匹配电路，说明了内匹配电路设计的一般步骤以及MOS电容和键合线HFSS仿真实现。测试结果表明，该匹配电路实现了预期功能，在工作频带内得到了较为稳定的输入/输出阻抗，同时1 dB压缩点增益达到16.5 dB，功率达到48.9 dBm，器件每毫米栅宽功率密度达到1.7 W/mm。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜寰		41	108	5.0	6.0
3	李科		30	649	7.0	25.0
5	李赛		19	199	8.0	14.0
9	从密芳		1	0	0.0	0.0