Pt/CdS Schottky紫外探测器的光电性能研究

• 作者: 丁嘉欣 吕衍秋 姚官生 张向锋
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: Pt/CdS Schottky 紫外探测器 红外透过率
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 443-445
• 页数: 3页
• 分类号: TN23
• 字数: 2036字
• 语种: 中文

摘要

制备了Pt/CdS Schottky紫外探测器，对Pt/CdS Schottky紫外芯片对中波红外（3～5μm）的透过率进行了研究，并对器件光电性能进行了测试分析。通过优化 Pt 电极制备条件及对 SiO2增透膜的研究，使Pt/CdS Schottky紫外芯片对中波红外波段的透过率达到85%。室温300 K下，所制备Pt/CdS Schottky紫外探测器在零偏压处的背景光电流为-0.063 nA，在＋6 V时的暗电流密度为7.6×10-7 A/cm2，R0A达到7.2×104?·cm2，其50%截止波长为510 nm。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚官生		8	26	3.0	4.0
5	张向锋		9	19	3.0	3.0
9	丁嘉欣		13	43	3.0	6.0
10	吕衍秋		16	67	4.0	7.0