使用非对称内表面氧化层的MOS管性能优化

• 作者: 于伟泽 尹海洲 朱慧珑 梁擎擎 许静 骆志炯
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体器件 非对称内表面氧化层 短沟道效应
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 92-96
• 分类号: TN303
• 语种: 中文

摘要

提出了一种用来提高短沟道MOS管性能的非对称内表面氧化层结构.该结构是在MOS管的源端附近生长一层厚的内表面氧化层,以抑制载流子迁移率的降低,同时,在MOS管的漏端附近生长一层薄的内表面氧化层,以抑制器件的短沟道效应.使用TCAD软件进行仿真和分析,结果显示,与对称内表面氧化层结构相比,非对称内表面氧化层结构具有更好的导通-关断特性.对器件进行优化,当源端较厚的内表面氧化层占总氧化层的比例为15％左右时,器件的性能得到最大幅度的提高.在相同的关断电流下,与对称内表面氧化层器件相比,非对称内表面氧化层器件的导通电流提高5％～15％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱慧珑	中国科学院微电子研究所集成电路工艺先导中心	6	4	1.0	2.0
2	尹海洲	中国科学院微电子研究所集成电路工艺先导中心	4	4	1.0	2.0
3	许静	中国科学院微电子研究所集成电路工艺先导中心	11	37	4.0	5.0
4	骆志炯	中国科学院微电子研究所集成电路工艺先导中心	3	12	2.0	3.0
5	于伟泽	中国科学院微电子研究所集成电路工艺先导中心	1	1	1.0	1.0
6	梁擎擎	中国科学院微电子研究所集成电路工艺先导中心	1	1	1.0	1.0