InAs/GaSb超晶格中波红外二极管的阳极硫化

• 作者: 李银柱 段剑金 许林 郝瑞亭 郭杰
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 红外探测器 钝化 电流电压特性 InAs/GaSb 超晶格 表面漏电 阳极硫化
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 探测器
• 页码范围: 58-61
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20144301.0104002

摘要

采用分子束外延技术,在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs(8 ML)/GaSb(8ML)超晶格中波红外光电二极管.用阳极硫化和ZnS薄膜对二极管表面进行钝化处理后,二极管漏电流密度降低了三个数量级,零偏阻抗R0达到106Ω,R0A达到103 Q cm2.通过测量电流密度与光敏元周长面积比的关系可知表面漏电不是主要漏电成分;电容电压特性曲线表明吸收层i层背景掺杂浓度约4～5×1014 cm-3.在空气中放置一个月后再次测试,发现响应率和探测率几乎没有变化.与化学硫化和SiO2薄膜钝化方法相比,阳极硫化方法是一种更简单和有效的钝化方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许林	云南师范大学物理与电子信息学院	17	17	3.0	3.0
2	段剑金	云南师范大学物理与电子信息学院	5	11	2.0	3.0
3	郝瑞亭	云南师范大学物理与电子信息学院	14	22	3.0	4.0