320×256锗基中波碲镉汞红外焦平面探测器研究

• 作者: 姬荣斌 孔金丞 李艳辉 杨春章 杨玉林 王晓璇 王羽 谭英 赵俊 邢一山 韩福忠 齐航
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 锗基碲镉汞 红外焦平面探测器
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 439-442,456
• 页数: 5页
• 分类号: TN215
• 字数: 2272字
• 语种: 中文

摘要

报道了分子束外延锗基中波碲镉汞薄膜材料以及320×256锗基中波碲镉汞红外焦平面探测器研究的初步结果。利用分子束外延技术基于3英寸锗衬底生长的中波碲镉汞薄膜材料，平均宏观缺陷密度低于200 cm-2，平均半峰宽优于90 arcsec，平均腐蚀坑密度低于2.9×106 cm-2；采用标准的二代平面工艺制备的320×256锗基中波碲镉汞红外焦平面探测器，平均峰值探测率达到3.8×1011 cm?Hz1/2W-1，平均等效噪音温差优于17.3 mK，非均匀性优于6.5%，有效像元率高于99.7%。