MEVVA离子束技术的发展及应用

• 作者: 吴先映 廖斌 张孝吉 张旭 张荟星 彭建华 李强
• 来源期刊: 北京师范大学学报（自然科学版）
• 关键词: MEVVA离子注入 磁过滤等离子体沉积 材料表面改性
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 页码范围: 132-138
• 页数: 7页
• 字数: 6164字
• 语种: 中文

摘要

金属蒸汽真空弧放电能够产生高密度的金属等离子体。通过二或三电极引出系统，可以把金属等离子体中的金属离子引出，并加速成为载能的金属离子束，这是 MEVVA 离子源技术。将载能离子束用于离子注入，可以实现材料表面改性。经过 MEVVA源离子注入处理的工具和零部件，改性效果显著，因此 MEVVA离子源在离子注入材料表面改性技术中得到很好的应用。另一方面，利用弯曲磁场把等离子体导向到视线外的真空靶室中的同时，过滤掉真空弧产生的液滴(大颗粒)，当工件加上适当的负偏压时，等离子体中的离子在工件表面沉积，可以得到高质量的、平整致密的薄膜，称为磁过滤等离子体沉积。是一种先进的薄膜制备的新技术。此外，将 MEVVA 离子注入与磁过滤等离子体沉积相结合的复合技术，可以首先用离子注入的方法改变基材表面的性能，再用磁过滤等离子体沉积的方法制备薄膜，可以极大的增强薄膜与基材的结合强度，得到性能极佳的薄膜。适用于基材与薄膜性能差别大，结合不易的情况(例如陶瓷、玻璃表面制备金属膜)。本文简要介绍了 MEVVA离子注入技术、磁过滤等离子体沉积技术和 MEVVA复合技术的发展和应用状况。