超薄EuF3电极修饰层对有机场效应晶体管性能的提升

• 作者: 刘星元 李红 甘至宏
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 场效应晶体管 EuF3 修饰层
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 238-242
• 页数: 5页
• 分类号: TN383+.1
• 字数: 2153字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143502.0238

摘要

采用EuF3薄层修饰低功函数金属Ag源、漏电极,制备了CuPc有机场效应晶体管,研究了不同厚度EuF3对器件性能的影响.结果表明,EuF3的厚度由0 nm增至0.6 nm时,接触电阻由23.65×105Ω· cm减至3.86×105 Ω·cm,使得器件载流子迁移率由1.5×10-3 cm2·V-1·s-1提高到4.65×10-3 cm2·V-1·s-1.UPS测试结果表明,薄层EuF3在Ag与有机半导体间形成了界面偶极势垒,使源漏电极表面功函数增大,空穴注入势垒降低,Ag电极与有机半导体层界面的接触电阻减小,进而提升了空穴的注入效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李红	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	19	419	9.0	19.0
3	刘星元	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	14	41	4.0	5.0
6	甘至宏	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	1	1	1.0	1.0