AlGaN/GaN HFET逆压电效应抑制技术

• 作者: 吴洪江 张志国 戴伟 王丽 高学邦
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HFET 薛定谔方程 逆压电效应(IPPE) 源漏凹槽 电流崩塌
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 183-187
• 分类号: TN304.26|TN325.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.03.005

摘要

基于非对称晶体的逆压电效应(IPPE),通过自洽求解一维Poisson-Schr(o)dinger方程,模拟了AlGaN/GaN HFET在外电场作用下沟道中2DEG浓度的变化,建立了电流崩塌效应的逆压电效应数值仿真模型.理论模拟显示:逆压电效应是引起电流崩塌效应的一个因素.根据GaN欧姆接触的机理,提出采用源漏凹槽的结构减小电场的垂直分量,抑制逆压电效应,减小饱和电流的变化.设计了不同结构的源漏凹槽结构器件,并进行工艺流片验证,得到优化的器件结构,器件的电流崩塌量从15.7％减小到8.9％,验证了理论仿真结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴洪江	中国电子科技集团公司第十三研究所	49	225	8.0	10.0
2	高学邦	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	175	8.0	9.0
3	张志国	中国电子科技集团公司第十三研究所	17	48	5.0	5.0
4	戴伟	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	8	1.0	2.0
5	王丽		2	13	1.0	2.0