基于Ti/Pt/Au欧姆接触金属系统的InP基HEMT器件

• 作者: 于宗光 李海鸥 黄伟
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 高电子迁移率晶体管(HEMT) 欧姆接触 钛/铂/金 化合物半导体
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 179-182,192
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.03.004

摘要

应用钛/铂/金(Ti/Pt/Au)金属系统在InP基HEMT制备工艺中形成了良好的欧姆接触,通过优化合金条件,获得了较低的欧姆接触电阻,并在此基础上对钛/铂/金欧姆接触形成机理进行了深入讨论.实验结果表明:在氮气气氛下进行温度300℃/30 s快速热退火后,得到欧姆接触最小电阻值为0.025 Ω·mm.同时合金界面形态良好.制备出栅长1.0 μm的InP基HEMT器件,测试结果表明器件具有良好的DC和RF特性,器件最大跨导(Gmmax)为672 mS/mm.饱和源漏电流IDSS为900 mA/mm,阈值电压为-0.8V,单一的电流增益截止频率(fT)为40 GHz,最大晶振fmax为45 GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光	中国电子科技集团公司第五十八研究所	140	722	12.0	22.0
2	黄伟	中国电子科技集团公司第五十八研究所	33	50	4.0	4.0
3	李海鸥	中国电子科技集团公司第五十八研究所	28	36	2.0	5.0