四硼酸锂在高频窄带滤波器上的应用探讨

• 作者: 万飞 杨丽萍 杨思川 黄歆
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 四硼酸锂 声表面波滤波器 干法刻蚀 SiO2 温度特性
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 27-31
• 页数: 5页
• 分类号: TN384
• 字数: 3621字
• 语种: 中文

摘要

该文采用四硼酸锂晶片制作了高频(1.1 GHz)声表面波滤波器,插入损耗3.7 dB,带宽3.8 MHz,带外抑制大于50 dB.阐述了器件的设计及工艺过程,对晶片表面处理、器件制作、SiO2保护膜、器件的温度特性等进行了实验分析,并讨论了在器件设计中需考虑的因素.实验结果表明,采用于法刻蚀工艺能获得良好的叉指电极形貌.在器件表面加镀SiO2保护膜能提高器件可靠性及温度稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄歆		3	1	1.0	1.0
2	杨丽萍		1	1	1.0	1.0
3	万飞		1	1	1.0	1.0
4	杨思川		1	1	1.0	1.0