CdS薄膜的真空热蒸发制备及在CIGS薄膜太阳电池中的应用

• 作者: 安正华 曹敏 田子傲 邓闯 门传玲
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: CdS薄膜 真空热蒸发 CIGS薄膜太阳电池 化学水浴 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 253-257,262
• 分类号: TB43
• 语种: 中文

摘要

采用真空热蒸发(VTE)的方法制备了CdS多晶薄膜,研究了不同衬底温度对其微观结构与光电性能的影响.结果显示,不同衬底温度下制备的CdS薄膜均属于六方相多晶结构且具有(002)择优取向;随着衬底温度的升高,(002)特征衍射峰强度增加,半高宽变小,相应薄膜结晶度增大;由CdS薄膜的透射光谱可知,在500～1 000 nm波段平均透过率均超过80％,光学带隙随着衬底温度的升高而增大(2.44～2.56 eV),表明真空热蒸发方法制备的CdS薄膜可以作为CIGS薄膜太阳电池的缓冲层.将真空热蒸发法制备CdS薄膜与磁控溅射法制备CIGS薄膜太阳电池相结合,在同一真空室内得到了CIGS薄膜太阳电池器件,为CIGS薄膜太阳电池的工业化推广提供了新途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	门传玲	上海理工大学能源与动力工程学院	19	35	3.0	5.0
2	曹敏	上海理工大学能源与动力工程学院	3	6	2.0	2.0
3	邓闯	上海理工大学能源与动力工程学院	1	3	1.0	1.0
4	田子傲	复旦大学物理系表面物理国家重点实验室	1	3	1.0	1.0
5	安正华	复旦大学物理系表面物理国家重点实验室	3	7	2.0	2.0