CMOS图像传感器的硬复位电路研究

• 作者: 刘丽艳 岳素格 晋孝峰 王春芳 赵岳 陈淼
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS图像传感器 硬复位电路 动态范围 抗饱和 图像滞后 非线性
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 182-186
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 字数: 3148字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2014.01.029

摘要

像素复位电路是CMOS图像传感器的重要组成部分,其特性直接影响着图像的质量.本文对CMOS APS图像传感器的动态范围、抗饱和能力、图像滞后以及非线性等性能进行了分析,并讨论了通过复位电路改善CMOS图像传感器性能的方法.在本文中,设计了两种带有抗饱和电路的硬复位电路,一种是采用传统的交叉耦合结构实现电压转换,另一种是基于改进的锁存器结构并增加阈值补偿管来实现,两种方案各具特点,分别适用不同的应用要求.仿真结果表明,两种电路方案均能够使动态范围提高2～ 3dB,增强像素抗饱和能力,同时消除了图像滞后与弱光下的非线性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	岳素格		28	96	5.0	8.0
2	晋孝峰		2	15	2.0	2.0
3	刘丽艳		3	17	2.0	3.0
4	赵岳		2	15	2.0	2.0
5	王春芳		2	15	2.0	2.0
6	陈淼		2	14	2.0	2.0