（101）单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响

• 作者: 乔丽萍 何磊 俞丽娟 李丽 李淑萍 王聪华
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 应变张量 简并度 晶向 张应力
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 9-12
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2388字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2014.01.003

摘要

由Schr?dinger方程出发,基于(101)单轴应力下Si材料导带E-k解析模型,重点研究沿任意晶向(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响。结果表明：(101)单轴应力沿0o和45o晶向均导致导带底附近的六度简并能谷分裂成两组分立的能谷；(101)单轴张应力下,沿45o晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显减小,沿0o和90o晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大；(101)单轴压应力下,Si材料沿高对称晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大或几乎不变。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔丽萍	西藏民族学院信息工程学院	17	36	3.0	5.0
3	王聪华	西藏民族学院信息工程学院	44	100	6.0	8.0
4	李淑萍	西藏民族学院信息工程学院	13	8	2.0	2.0
5	何磊	西藏民族学院信息工程学院	16	23	3.0	4.0
6	李丽	西藏民族学院信息工程学院	18	16	3.0	3.0
9	俞丽娟	西藏民族学院信息工程学院	1	2	1.0	1.0