钼酸镉晶体本征点缺陷的计算机模拟计算

• 作者: 严非男 梁丽萍 王希恩 耿滔 陈俊
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 模拟计算 CdMoO4晶体 GULP 本征点缺陷
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 188-192
• 页数: 5页
• 分类号: O483
• 字数: 2602字
• 语种: 中文

摘要

本文利用GULP计算软件拟合了CdMoO4晶体势参数,在此基础上研究了该晶体的本征点缺陷,计算了本征点缺陷的生成能.结果表明,在CdMoO4晶体生长过程中,孤立缺陷主要以肖特基缺陷的形式(Vo2+和Vcd2-)存在.晶体中氧的夫伦克儿缺陷具有较低的生成能,是CdMoO4晶体的主要缺陷类型.Cd的夫伦克儿缺陷在高温条件下将起重要作用,由氧空位引起的F心和F+心与700 nm吸收带的形成有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁丽萍	上海理工大学理学院	12	41	4.0	6.0
2	陈俊	上海理工大学理学院	21	54	4.0	6.0
3	严非男	上海理工大学理学院	24	37	4.0	5.0
4	耿滔	上海理工大学理学院	18	43	4.0	6.0
5	王希恩	上海理工大学理学院	3	7	1.0	2.0