沉积温度对CVD-SiC涂层显微结构的影响

• 作者: 李洪春 王毅 郭春峰
• 来源期刊: 火箭推进
• 关键词: 化学气相沉积 沉积温度 SiC涂层 微观结构
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 工艺与材料
• 页码范围: 50-56
• 页数: 7页
• 分类号: V258+.3-34
• 语种: 中文

摘要

介绍了采用化学气相沉积(CVD)方法在C/SiC复合材料表面制备SiC抗氧化涂层的情况.对不同工艺条件下制备出的SiC涂层,使用SEM,EDS和XRD分析了沉积层的物相和显微结构.结果表明:SiC涂层生长速度随沉积温度升高而升高,晶粒尺寸也随之增大;在较高沉积温度下,可以产生较大的沉积速度,但SiC涂层表面粗糙度将会增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王毅		19	53	4.0	6.0
2	李洪春		12	15	3.0	3.0
3	郭春峰		1	3	1.0	1.0