IR推出坚固耐用100 V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET

• 作者: 郑畅
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 导通电阻 栅极电荷 系统可靠性 品质因子 整流器 功率密度 通信应用 基准 耐用 高效率
• 年，卷（期）: bdtxx,（2）
• 页码范围: 7-7
• 页数: 1页
• 分类号: TN386

摘要

【正】国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出100 V FastIRFET功率MOSFET IRFH7185TRPbF,为通信应用中的DC-DC电源提供基准性能。IRFH7185TRPbF采用IR全新的100 V FastIRFET工艺,提供基准的导通电阻栅极电荷品质因子(Rds(on)Qg figure of merit),以实现更高效率和功率密度,并且提高系统可靠性。