一种超宽带MEMS开关的研制

• 作者: 石国超 董自强 赵博韬
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电子对抗 RF-MEMS开关 超宽带 双膜桥 电容式
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 312-315
• 页数: 4页
• 分类号: TN974|TM564
• 字数: 2956字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2014.03.007

摘要

MEMS射频器件,特别是超宽带器件,对其中的射频器件提出了宽带指标的要求。以此为背景,在理论分析的基础上设计了一种应用于12.5 GHz~50 GHz频带的超宽带双膜桥式MEMS开关,该开关具备低损耗、高隔离度等特点,文中给出了开关的制备工艺,并进行流水完成了芯片制备。经测试,该开关在设计频段内,回波损耗优于20 dB,插入损耗典型值0.3 dB@12.5~35 GHz,优于0.5 dB@45 GHz,隔离度全频段优于20 dB,驱动电压在45 V~55 V之间。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董自强	中国电子科技集团公司第五十四研究所	4	6	2.0	2.0
2	赵博韬	中国电子科技集团公司第五十四研究所	5	8	2.0	2.0
3	石国超	中国电子科技集团公司第五十四研究所	6	11	2.0	3.0