Bphen作为电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的改善

• 作者: 刘东洋 刘子洋 刘式墉 张世明 王学会 赵毅
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有机薄膜晶体管 并五苯 电性能
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 195-201
• 页数: 7页
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 3711字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143502.0195

摘要

研究了二苯基邻菲罗啉以及氟化锂作为电极缓冲层对底栅顶接触型有机薄膜晶体管性能的影响,结果表明二苯基邻菲罗啉是一种比氟化锂更好的缓冲层材料.通过对二苯基邻菲罗啉缓冲层厚度的优化,获得了迁移率为0.302 cm2 ·V-1 ·s-1、阈值电压为-31.2 V、开关比为6.2×102的器件.器件性能提升的原因是由于二苯基邻菲罗啉缓冲层的引入降低了金电极与并五苯界面的空穴注入势垒与接触电阻.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵毅	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	41	219	8.0	13.0
2	刘子洋	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	1	0	0.0	0.0
3	刘东洋	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	2	1	1.0	1.0
4	张世明	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	2	3	1.0	1.0
5	王学会	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	1	0	0.0	0.0