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摘要:
逆F类功放在接近饱和区工作时效率很高,将其与Doherty功放结构相结合,可以实现一种在大功率回退的情况下仍然具有很高效率的射频功率放大器.本文设计了一款基于GaN HEMT晶体管的高效率的逆F类Doherty功率放大器,工作频带为910MHz~ 950MHz.单音信号测试结果显示,在930MHz处,功放回退7.5dB后漏极效率仍高达64.2%.使用3载波WCDMA信号作为测试信号,利用数字预失真技术进行线性化后,功放输出信号的上下边带邻信道功率比(ACPR)分别为-35.39dBc和-35.9dBc.
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文献信息
篇名 逆F类高效氮化镓Doherty射频功率放大器设计
来源期刊 微波学报 学科
关键词 Doherty功率放大器 氮化镓 逆F类 高效率
年,卷(期) 2014,(6) 所属期刊栏目 学术论文与技术报告
研究方向 页码范围 64-68
页数 分类号
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王洋 宁波大学信息科学与工程学院 10 30 3.0 5.0
2 刘太君 宁波大学信息科学与工程学院 83 421 11.0 18.0
3 叶焱 宁波大学信息科学与工程学院 65 319 10.0 15.0
4 孙超 1 15 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
Doherty功率放大器
氮化镓
逆F类
高效率
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微波学报
双月刊
1005-6122
32-1493/TN
16开
南京3918信箱110分箱
1980
chi
出版文献量(篇)
2647
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8
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