表面处理对低成本多晶硅太阳电池性能的影响

• 作者: 张妹玉 张宁 翁铭华 陈朝
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅电池 低成本 表面处理
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 233-236,240
• 分类号: TM914.41
• 语种: 中文

摘要

通过沉积SiNx薄膜和H2退火表面处理工艺对低成本多晶硅太阳电池进行了处理,对表面处理前后的电池效率进行了对比测试,详细地研究了这两种表面处理工艺对电池的短路电流、开路电压、填充因子和转换效率的影响.实验发现,沉积了SiNx薄膜的低成本多晶硅太阳电池的效率在原有基础上提高了1.8％左右;而经过H2退火后的电池效率则出现了效率衰减.与此同时,对成本相对高的太阳能级多晶硅电池也进行了H2退火,与低成本多晶硅电池相比,其效率增加明显,与低成本太阳电池呈现了相反的现象.最后分析了两种表面处理工艺对电池性能造成影响的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈朝	厦门大学物理系	63	420	11.0	18.0
5	张宁	闽江学院物理学与电子信息工程系	17	51	4.0	6.0
6	翁铭华	闽江学院物理学与电子信息工程系	8	3	1.0	1.0
7	张妹玉	闽江学院物理学与电子信息工程系	12	17	3.0	3.0