先进IGBT芯片国产化的三个关健问题

• 作者: 张世勇 王思亮 胡强
• 来源期刊: 东方电气评论
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 沟槽 场截止 薄片键合
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 基础研究
• 页码范围: 1-3,10
• 页数: 4页
• 分类号: TN323+.4
• 字数: 1908字
• 语种: 中文

摘要

尽管第5代IGBT已经成为电力电子行业的主流产品,但是却始终未能实现国产自给,主要原因是核心技术未能实现自主化。本文针对生产第5代IGBT的3项核心技术,即沟槽技术、场截止技术和薄片键合技术分别进行阐述和分析,3项技术的难点分别体现在沟槽形貌控制、深埋层的制备以及键合方式的选择和实施。逐一突破3项技术将为先进IGBT的国产化铺平道路。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡强		7	31	2.0	5.0
2	王思亮		6	19	2.0	4.0
3	张世勇		7	31	2.0	5.0