白光LED用Ce：YAG单晶光学性能及封装工艺的研究

• 作者: 向卫东 张志敏 张景峰 梁晓娟 谢翠萍 赵斌宇 钟家松 陈兆平 骆乐
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 白光LED 铈掺杂钇铝石榴石 光学性能 封装工艺 光电性能
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 614-620
• 页数: 7页
• 分类号: O734
• 字数: 4286字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1077.2014.13481

摘要

采用提拉法生长了白光LED用Ce：YAG单晶，通过吸收光谱、激发发射光谱和变温光谱对其光学性能和热稳定性进行了表征，并研究了晶片用于封装白光LED光源中各因素对其光电性能的影响。Ce：YAG晶片能被466 nm波长的蓝光有效激发，产生500~700 nm范围内的宽发射带。Ce3+的4f→5d轨道的跃迁吸收对应于202、219、247.3、347.4和455.5 nm五个吸收峰，据此量化分裂的5d能级能量，依次为21954、29154、40437、45662和49505 cm-1。温度升高， Ce3+的2F7/2能量升高导致了发光强度的降低，可降低幅度(13.28%)不大，比肩国家标准且要优于目前商用白光光源的Ce：YAG单晶制白光LED光源的封装工艺，从芯片、驱动电流、晶片厚度和添加物四方面进行讨论。研究结果表明， Ce：YAG单晶是一种新型白光LED用荧光材料。