不同磨料对蓝宝石CMP的影响

• 作者: 檀柏梅 牛新环 甄加丽 赵云鹤 郭倩
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 蓝宝石 化学机械抛光(CMP) 单一磨料 混合磨料 去除速率
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 120-125
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.02.010

摘要

在化学机械抛光(CMP)系统中,磨料是决定去除速率和表面状态的重要因素.在单一磨料下进行了单因素实验,在不同的压力、转速、流量和温度下对比了SiO2磨料和A12O3磨料对蓝宝石去除速率及表面状态的影响;同时也探究了混合磨料对蓝宝石去除速率的影响.研究表明,在单一磨料的CMP实验中,当压力为4 psi(1 psi=6894.76 Pa)、转速为80 r/min、流量为70 mL/min和温度为35℃时,SiO2磨料对蓝宝石的去除速率高,表面状态好;在混合磨料的CMP实验中,和单一的SiO2磨料相比,A12O3/SiO2混合磨料对蓝宝石的去除速率要低很多,而SiO2/CeO2混合磨料的去除速率要比单一SiO2磨料的略高一些.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学微电子研究所	85	534	13.0	18.0
2	牛新环	河北工业大学微电子研究所	69	406	10.0	17.0
3	甄加丽	河北工业大学微电子研究所	4	12	3.0	3.0
4	郭倩	河北工业大学微电子研究所	5	9	2.0	3.0
5	赵云鹤	河北工业大学微电子研究所	3	9	2.0	3.0