薄膜热电偶瞬态温度传感器Al2O3绝缘膜制备工艺及性能表征

• 作者: 丁万昱 安阳 崔云先 盛晓幸 赵家慧 郭立明
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: Al2O3绝缘膜 薄膜热电偶 性能表征 射频偏压
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 工艺?技术
• 页码范围: 7139-7142
• 页数: 4页
• 分类号: TH811
• 字数: 3258字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2014.07.029

摘要

制备绝缘性能良好的 Al2 O 3薄膜是研制薄膜热电偶瞬态温度传感器的关键技术之一.针对直流脉冲磁控溅射制备的 Al2 O 3绝缘薄膜总是存在针孔等缺陷，提出了利用直流脉冲磁控溅射加射频偏压技术成功制备了薄膜热电偶瞬态温度测试传感器的Al2 O 3绝缘薄膜.通过台阶仪、高阻计、扫描电子显微镜和划痕试验仪对 Al2 O 3绝缘膜的成膜厚度、绝缘性、表面形貌及膜基结合力进行了观测，结果表明，制备的 Al2 O 3绝缘膜厚度可达2．4μm；其绝缘性可达2．6×109Ω；薄膜表面光滑，成膜均匀；Al ∶ O 原子比近似为2∶3；与金属基体的结合力可达12 N.提供了一种制备高致密、高绝缘性能 Al2 O 3薄膜的简单有效的方法，为制备瞬态温度传感器提供了技术保障.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁万昱	大连交通大学材料科学与工程学院	17	58	5.0	6.0
2	崔云先	大连交通大学机械工程学院	19	83	6.0	8.0
3	盛晓幸	大连交通大学机械工程学院	4	26	3.0	4.0
4	赵家慧	大连交通大学机械工程学院	4	33	3.0	4.0
5	郭立明	大连交通大学机械工程学院	3	19	2.0	3.0
6	安阳	大连交通大学机械工程学院	3	19	2.0	3.0