Ag掺杂AlN半导体光电性质的第一性原理研究

• 作者: 毋志民 王爱玲 胡爱元 赵若禺 邓军权
• 来源期刊: 计算物理
• 学科: 物理学
• 关键词: Ag掺杂AlN 电子结构 铁磁性 光学性质 第一性原理
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 617-624
• 页数: 8页
• 分类号: O469|O472
• 字数: 4534字
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法，对Ag掺杂AlN 32原子超晶胞体系进行几何结构优化，计算并分析体系的电子结构、磁性和光学性质。结果表明：Ag掺杂后，Ag4d态电子与其近邻的N2p态电子发生杂化，引入杂质带形成受主能级，实现p型掺杂，使体系的导电能力增强，同时表现出金属性和弱磁性，其净磁矩为1?38μв。掺杂形成的N-Ag键电荷集居数较小，表现出强的离子键性质。掺杂后体系的介电函数虚部和光吸收谱在低能区出现新的峰值，同时复折射率函数在低能区发生变化，吸收边向低能方向延展，体系对长波吸收加强，能量损失明显减小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡爱元	重庆师范大学物理与电子工程学院	14	32	4.0	5.0
2	毋志民	重庆师范大学物理与电子工程学院	19	65	5.0	7.0
3	王爱玲	重庆师范大学物理与电子工程学院	4	26	3.0	4.0
4	赵若禺	重庆师范大学物理与电子工程学院	6	29	3.0	5.0
5	邓军权	重庆师范大学物理与电子工程学院	5	20	3.0	4.0