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摘要:
在简要分析二维位敏探测器工作原理的基础上,详细介绍了一种大面积枕型二维位敏探测器的结构设计和制作工艺.对器件响应度、暗电流、位置分辨率,以及位置线性度等性能参数进行了分析.测试结果显示,器件在峰值波长λp=930 nm处的响应度达0.63 A/W,暗电流小于300 nA(VR=10 V),位置分辨率小于10 μm,位置非线性度小于5%.
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文献信息
篇名 大面积枕型二维位敏探测器的研制
来源期刊 半导体光电 学科 物理学
关键词 二维位敏探测器 大面积 枕型 横向光电响应 Gear定理
年,卷(期) 2014,(2) 所属期刊栏目 光电器件
研究方向 页码范围 211-213
页数 分类号 O482.7
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 向勇军 9 70 5.0 8.0
2 黄烈云 11 66 4.0 8.0
3 莫彦祎 1 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
二维位敏探测器
大面积
枕型
横向光电响应
Gear定理
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
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