替代元素对光催化半导体Cu2 ZnSnS4能带结构优化的第一性原理研究

• 作者: 戴豪 谢政专 郭进 黄丹
• 来源期刊: 广西科学
• 学科: 物理学
• 关键词: 光催化半导体 Cu2ZnSnS4 掺杂 第一性原理计算
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 功能材料与计算模拟
• 页码范围: 220-225
• 页数: 6页
• 分类号: O471.5
• 字数: 4807字
• 语种: 中文

摘要

【目的】为了增加Cu2 ZnSnS4价带顶和导带底与水的氧化还原势之间的能量差，使催化反应具有更多的驱动力。【方法】利用第一性原理计算，对Cu2 ZnSnS4电子结构进行分析。【结果】Ag掺入Cu位能够降低其价带顶而不改变导带底位置，而 Ge掺入 Sn位能够提升其导带底而不改变价带顶位置。【结论】通过优化（Cu1-x Agx ）2 Zn（Sn1-y Gey ）S4合金的配比，可使其达到光催化半导体最理想的能带结构。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄丹	广西大学物理科学与工程技术学院	21	113	5.0	10.0
2	郭进	广西大学物理科学与工程技术学院	87	519	13.0	19.0
3	戴豪	广西大学物理科学与工程技术学院	2	6	2.0	2.0
4	谢政专	广西大学物理科学与工程技术学院	7	4	1.0	1.0