含TSV结构的3D封装多层堆叠Cu/Sn键合技术

• 作者: 刘孝刚 刘胜 吕亚平 陈明祥
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 三维封装 硅通孔(TSV) Cu/Sn低温键合 多层堆叠 系统封装
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 先进封装技术
• 页码范围: 64-70
• 分类号: TN405.97
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.01.014

摘要

研究了利用Cu/Sn对含硅通孔(TSV)结构的多层芯片堆叠键合技术.采用刻蚀和电镀等工艺,制备出含TSV结构的待键合芯片,采用扫描电子显微镜(SEM)对TSV形貌和填充效果进行了分析.研究了Cu/Sn低温键合机理,对其工艺进行了优化,得到键合温度280℃、键合时间30 s、退火温度260℃和退火时间10 min的最佳工艺条件.最后重点分析了多层堆叠Cu/Sn键合技术,采用能谱仪(EDS)分析确定键合层中Cu和Sn的原子数比例.研究了Cu层和Sn层厚度对堆叠键合过程的影响,获得了10层芯片堆叠键合样品.采用拉力测试议和四探针法分别测试了键舍样品的力学和电学性能,同时进行了高温测试和高温高湿测试,结果表明键合质量满足含TSV结构的三维封装要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕亚平	华中科技大学机械科学与工程学院	3	12	2.0	3.0
2	刘孝刚	华中科技大学机械科学与工程学院	3	12	2.0	3.0