实现双蓝光波长发光二极管光谱均衡辐射的研究

• 作者: 严启荣 章勇
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 数学
• 关键词: 活性层 双蓝光波长 InGaN/GaN量子阱 光谱
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 页码范围: 34-39
• 页数: 6页
• 分类号: O242.1
• 字数: 3816字
• 语种: 中文

摘要

采用数值分析方法进行模拟分析InGaN/GaN混合多量子阱中不同活性层结构对GaN基双蓝光波长发光二极管光谱的影响。结果发现只依靠改变活性层中的In0.12Ga0.88N/GaN量子阱和In0.18Ga0.82N/GaN量子阱的数量或位置，难以有效改善电子空穴在混合多量子阱中的分布和实现双蓝光均衡辐射。但随着p-AlGaN层的移去和n-AlGaN层的引入，或在量子阱引入应力补偿层AlGaN，能有效实现双蓝光平衡辐射。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章勇	华南师范大学光电子材料与技术研究所	37	273	8.0	16.0
2	严启荣		10	8	1.0	2.0