SiC/SiC复合材料的原位合成与表征

• 作者: 朱建锋 焦宇鸿 王芬
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC/SiC复合材料 SiC纳米线 常压烧结 原位合成 生长机理
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 143-147
• 页数: 5页
• 分类号: TB321
• 字数: 4154字
• 语种: 中文

摘要

采用常压烧结原位反应合成的方法制备了SiC/SiC复合材料,碳和硅是以滤纸和酚醛树脂为C源,采取滤纸表面涂覆Si粉树脂悬浮液的方法引入.采用XRD,SEM以及EDAX分别分析了材料的组成和微观机构,并重点分析了复合材料中SiC纳米线的生成与生长机理.结果表明,在温度为1430℃时,制备的SiC纳米线表面光滑,尺寸均一,长径比大于103,其生长机制为VS机制,由此开发了一种一步法制备SiC/SiC复合材料的新方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王芬	陕西科技大学材料科学与工程学院	186	1121	17.0	22.0
2	朱建锋	陕西科技大学材料科学与工程学院	102	418	10.0	14.0
3	焦宇鸿	陕西科技大学材料科学与工程学院	3	3	1.0	1.0