电刺激大鼠上矢状窦区硬脑膜后血浆与脑组织中降钙素基因相关肽、P物质和前列腺素 E2释放差异

• 作者: 吕新勇 周军 孙晓萍 王振中 萧伟 陈健 陈春苗
• 来源期刊: 中国药理学与毒理学杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 偏头痛 电刺激 硬脑膜 降钙素基因相关肽 P物质 前列腺素E2
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 329-333
• 页数: 5页
• 分类号: R964
• 字数: 3467字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3867/j.issn.1000-3002.2014.03.003

摘要

目的：探讨电刺激大鼠上矢状窦区硬脑膜制备偏头痛模型的可行性。方法雄性SD 大鼠，脑部电极植入术后行电压3 V、频率6 Hz、脉宽0．25 ms、时间1 h电刺激，并于刺激0，15和30 min和1 h进行眼眶采血，采血后取脑组织。采用放射免疫法检测血浆和脑组织中降钙素基因相关肽（CGRP）、P物质和前列腺素E2（PGE2）含量。结果手术对照组与正常对照组大鼠脑组织中 CGRP 含量、P 物质含量和PGE2含量为均无显著性差异；模型组大鼠脑组织中CGRP、P物质和 PGE2分别为3．41±0．93，1．80±0．64和（5．17±0．69）ng·g -1，与手术对照组大鼠相比均有显著性差异（P＜0．05）。各时间点手术对照组与模型组大鼠外周静脉血浆中CGRP、P物质和PGE2含量无显著性差异。结论电刺激大鼠上矢状窦区硬脑膜后，脑组织中CGRP、PGE2和P物质水平与外周静脉血中显著不同，表明可采用本方法制备偏头痛模型。