TiN/AlN复合陶瓷的电性能

• 作者: 刘凯 史玉升 张启福 朱江 李晨辉 贺智勇
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝陶瓷 氮化钛 Re2O3 电性能调节剂 体积电阻率
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 204-209
• 分类号: TN304.82
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.03.009

摘要

以AlN粉为原料,TiN粉为调节剂,添加稀土金属(Sm2 O3,Y2O3.)烧结助剂在N2气氛下,采用放电等离子烧结技术在1 700℃,25 MPa下保温10 min制备了相对密度高于98％的AlN陶瓷.引入导电相TiN对AlN陶瓷电性能进行改性,AlN复合陶瓷的相对密度随着TiN含量的增加而有所下降,电阻率出现明显的导电渗流现象,渗流阀值出现在质量分数为26％左右.通过X射线衍射、扫描电镜和X射线光电子能谱分析可知:AlN烧结体含有主晶相AlN、第二相稀土金属铝酸盐和间隙相TiN,一般认为,低熔点的稀土金属铝酸盐促进了AlN陶瓷的烧结致密化,导电相TiN提供了导电的自由电子致使陶瓷体的电性能降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史玉升	华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室	217	3141	29.0	44.0
2	李晨辉	华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室	32	326	11.0	17.0
3	刘凯	华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室	23	88	6.0	7.0
4	贺智勇		17	56	4.0	7.0
5	朱江	华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室	14	193	5.0	13.0
6	张启福		1	5	1.0	1.0