一种高di/dt栅控晶闸管的三重扩散工艺优化

• 作者: 孙瑞泽 张波 彭朝飞 阮建新 陈万军
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 三重扩散 栅控晶闸管 电流上升率 脉冲放电
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 页码范围: 29-33
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.2
• 字数: 3335字
• 语种: 中文

摘要

传统栅控晶闸管（MCT）的制造工艺中存在阱区浓度调整与器件性能最大化之间的矛盾，提出了一种具有高电流上升率的制造工艺的优化，实现了具有更高正向电流能力与低阈值电压的MCT器件。结果表明该工艺制造的MCT在脉冲放电应用中电流上升率（di/dt）较传统工艺所制造的器件提高15%，最大工作温度降低33%，热逸散速度提高36%。